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晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可 以非??欤瑢?shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
物理中,認(rèn)為晶體是一種有固定熔點(diǎn)(凝固點(diǎn))的物質(zhì),如海波,而化學(xué)中,認(rèn)為晶體是一種有固定幾何形狀的純凈物,如明礬。蔗糖的熔點(diǎn)(凝固點(diǎn))不固定,在物理上認(rèn)為不是晶體,而我的化學(xué)老師卻說(shuō)蔗糖是晶體。晶體這一概念在物理和化學(xué)上有如此大的差異,是否矛盾??為此,我的物理老師和化學(xué)老師曾經(jīng)爭(zhēng)執(zhí)不休!!
有多種方法可以用整流二極管將交流電轉(zhuǎn)換為直流電,包括半波整流/全波整流已經(jīng)橋式整流等。整流橋,就是將橋式整流的四個(gè)二極管封裝在一起,只引出四個(gè)引腳。四個(gè)引腳中,兩個(gè)直流出差端表有+或-,兩個(gè)交流輸入端有~標(biāo)記。
簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),IGBT相當(dāng)于一個(gè)由MOSFET驅(qū)動(dòng)的厚基區(qū)PNP型晶體管,它的簡(jiǎn)化等效電路如圖2-42(b)所示,圖中的RN為PNP晶體管基區(qū)內(nèi)的調(diào)制電阻。從該等效電路可以清楚地看出,IGBT是用晶體管和MOSFET組成的達(dá)林頓結(jié)構(gòu)的復(fù)合器件。岡為圖中的晶體管為PNP型晶體管,MOSFET為N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管,所以這種結(jié)構(gòu)的IGBT稱為N溝道IIGBT,其符號(hào)為N-IGBT。類似地還有P溝道IGBT,即P- IGBT。
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IGBT可控硅的工作原理
1、可控整流,這也是可控硅最基本也最重要的作用;2、用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān),經(jīng)常用于自動(dòng)化設(shè)備中;3、起到開(kāi)關(guān)
可控硅在電路中的作用有以下幾種:1、變流/整流。2、調(diào)壓。3、變頻。4、開(kāi)關(guān)。
可控硅觸發(fā)電路的形式很多,常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小
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